四氟化碳
四氟化碳產品說明:
四氟化碳是不燃燒的無色、無味的壓縮氣體,充裝于四氟化碳鋼瓶中,飽和蒸汽壓約壓力2000 psig。四氟化碳是目前微電子工業中用量最大的等離子蝕刻氣體,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅,磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗,太陽能電池的生產,激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態,印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。由于四氟化碳的化學穩定性,四氟化碳可用于金屬冶煉,例如:銅、不銹鋼,碳鋼、鋁、蒙乃爾等;還可用于塑料行業;如:合成橡膠、氯丁橡膠、聚氨基甲酸乙酯。
四氟化碳四氟化碳用途
四氟化碳是目前微電子工業中用量最大的等離子燭刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體。
1:在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、
泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。
2:可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
3:由于化學穩定性極強,CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業等。
4.:四氟化碳的溶氧性很好,因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功,在275米到366米的深度內,小白鼠仍可安全脫險。
四氟化碳注意事項:?
四氟化碳是不燃性壓縮氣體。儲存于陰涼、通風倉間內。倉內溫度不宜超過60℃。遠離火種、熱源。防止陽光直射。應與易燃或可燃物分開存放。驗收時要注意品名,注意驗瓶日期,先進倉的先發用。搬運四氟化碳時輕裝輕卸,防止鋼瓶及附件破損。泄漏時,應迅速撤離泄漏污染區人員至上風處,并進行隔離,嚴格限制出入。建議應急處理人員戴自給正壓式呼吸器,穿一般作業工作服。盡可能切斷泄漏源。合理通風,加速擴散。如有可能,即時使用。漏氣容器要妥善處理,修復、檢驗后再用。
四氟化碳的物理化學性質分子量:88.005
熔點(101.325kPa):????-186.8℃
沸點(101.325kPa):????-128.0℃
液體密度(-127.94℃,101.325kPa):1603kg/m3
氣體密度(0℃,101.325kPa):????3.946 kg/m3
相對密度(氣體,0℃,101.325kPa):??3.05
氣液容積比(15℃,100kPa):436 L/L
比容(21.1℃,101.325kPa):0.2747m3/kg
臨界溫度:????-45.6℃
臨界壓力:????3739kPa
臨界密度:????629kg/m3
壓縮系數:
溫度℃ | 壓縮系數 | |||
100kPa | 1000kPa | 5000kPa | 10000kPa | |
1 5 | 0.9981 | 0.9763 | 0.7832 | 0.6058 |
50 | 0.9988 | 0.9866 | 0.8717 | 0.7637 |
熔化熱(-186.8℃):????7.609 kJ/kg
氣化熱(-127.94℃,101.325kPa):??135.65 kJ/kg
比熱容(氣體,25℃,101.325kPa):Cp=696 J/(kg·K) Cv=602J/(kg·K)
比熱比(氣體,25℃,101.325kPa):Cp/Cv=1.157
蒸氣壓(-180.65 C):0.20 kPa (-120℃):165 kPa (-50℃):3220 kPa
粘度(101.325kPa,0℃,氣體):0.0161 mPa·S (-60.0℃,液體):0.170 mPa·S
表面張力(-80.0℃):6.4 mN/m
導熱系數(101.325kPa,0℃):0.01503 w/(m·K) (液體,-60.0℃):0.07196 w/(m·K)
折射率(-73℃)1.151
四氟化碳在常溫常壓下為無色無臭有輕微醚味的氣體??諝庵胁蝗紵?,是比較穩定的無毒物質。但是在高溫時,或與可燃氣體一同燃燒時,分解出有毒的氟化物。在1000℃以上能與二氧化碳形成羰基氟。微溶于水,在25℃,101.325kPa時,水中溶解度為0.0015%(重量)。有輕微的水解作用。
四氟化碳制備方法:
1.由碳與氟反應,或一氧化碳與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,或二氟二氯甲烷與氟化氫反 應,或四氯化碳與氟化銀反應,或四氯化碳與氟化氫反應,都能生成四氟化碳。四氯化碳與氟化氫的反應在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、 堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,最后經精餾而得成品。
2.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾 合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應,反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣 體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,將其通過裝有氫氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟化硅,隨后通過硅膠和五氧化二磷干燥塔得到最終產品。
3.以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和 反應爐冷卻控制反應溫度。產品經除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進 行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。
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